摘要：本实用新型公开了一种适用于CMOS射频功率放大器的自适应偏置电路及放大器，包括与功率管M6栅极相连接的电阻R4、M4，二极管连接的M3、M5及滤波电容C1，还包括了功率控制电路M1、M2及电阻R1、R2。本实用新型采用了MOS管的栅源▽二极管的整流作用，对功率管M6的偏置电压进行补偿，在大信号时可以很好的提高功率放大器的线性输出功率水平。另外，通过功率控制电路，在低输出功率时通过开启功率控制电路减小偏置电路的电流，降低偏置电压改变PA的工作状态，更接近于ClassB状态，因而提高了低功率输出时的效率，从而提高了功率放大器的平均效率。
- 专利类型实用新型
- 申请人江苏博纳雨田通信电子有限公司;
- 发明人袁立凯;
- 地址210016 江苏省南京市玄武区黄埔路2号黄埔科技大厦B座16楼
- 申请号CN201320501238.3
- 申请时间2013年08月16日
- 申请公布▓号CN203457108U
- 申请◥公布时间2014年02月26日
- 分类号H03F1/32(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I;H03F3/20(2006.01)I;
