硅片表面线痕测试仪
产品型号：进口
对硅片表面的线痕进行轻松测量。该设备带专用控制器的高精度，高性能，操作简单，显示一目了然。
特点
■显示一目了然，操作简单： 配备高可见度7.5 英寸TFT LCD 屏幕。彩色图标显示、触控式面板，显示更清晰，操作简单。
■轻松定位： 使用专用控制◇器内置的操纵杆，轻松、快速地定位。小孔内侧的测量，需︽要对微小测头进行微调。利用手动手柄，实现轻松微调。
■轻※松设置表面粗糙度的测量条件： 利用配备的简单输入功能，可按照ISO/JIS 粗糙度标准的绘图指令符号进行输入。以往非常麻烦的↑测量条件设置如今可轻松输入，从菜单上直接〖选取表面粗糙度的绘图指令符『号即可。
技术参数
技术参数: SJ-500
X 轴 (驱动部)
测量范围: 50mm
分辨率: 0.05μm
检测方法: 线性编码器
驱动速度: 0 - 20mm/s
测量速度: 0.02 - 5mm/s
移动方向: 向后
直线度: 0.2μm / 50mm
定位: ±1.5° (倾角、有DAT 功能) 30mm (向上／向下)
检测器
范围／分辨率: 800μm / 0.01μm, 80μm / 0.001μm, 8μm / 0.0001μm
检测方法: 无轨／有轨测量
测力: 4mN 或 0.75mN (低测力型)
测针针尖: 金刚石、90o / 5μmR (60o / 2μmR: 低测力型)
导头曲率◥半径: 40mm
检测方法: 差动电感式
控制器
显示: 7.5" 带背光的TFT 彩显
打印机: 内置热敏打印机
放大倍率: 水平: X10 至 X500,000、自动 垂直: X0.5 至 X10,000、自动 驱动装置※的控制: 通过∮操纵杆手动手柄的操作
技术参数: SV-2100
X 轴 (驱动部)
测量范围: 100mm
分辨率: 0.05μm
检测方法: 线性编码器
驱动速度: 0 - 40mm/s
测量速度: 0.02 - 5mm/s
移动方向: 向后
直线度: 0.15μm / 100mm Z2 轴 ( 立柱)
类型: 手动操作或电ㄨ驱动
垂直移动: 350mm 或 550mm*
分辨率*: 1μm
检测方法*: 旋转编码器
驱动速度*: 0 - 20mm/s * 仅适于♀电驱动型
检测器
范围／分辨率: 800μm / 0.01μm, 80μm / 0.001μm, 8μm / 0.0001μm
检测方法: 无轨／有轨测量
测力: 4mN 或 0.75mN (低测力型)
测针针尖: 金刚石、90o / 5μmR (60o / 2μmR: 低测力型)
导头曲率半径: 40mm
检测方法: 差动电感式
控制器
显示: 7.5" 带背光的TFT 彩显
打印机: 内置热敏打印机
放大倍率: 水平: X10 至 X500,000、自动 垂直: X0.5 至 X10,000、自动
驱动装置的⊙控制: 通过操纵杆手动手柄的操作
评估能力
评估轮廓
P (主轮廓), R (表面粗糙度轮廓〗), WC, WCA, WE, WEA, 包络 残余线、粗糙度 motif、波形 motif
评估参数
Ra, Rc, Ry, Rz, Rq, Rt, Rmax, Rp, Rv, R3z, Sm, S, Pc, mr(c), dc, mr,
tp, Htp, Lo, Ir, Ppi, HSC, Da, Dq, Ku, Sk, Rpk, Rvk, Rk, Mr1, Mr2,
A1, A2, Vo, la, lq 粗糙度motif 参数: R, AR, Rx 波形motif 参数: W, AW, Wx, Wte
分析图表
ADC, BAC, 功率谱图
数显∩滤波器
2CR-75%, PC-75%、高斯滤波器、鲁棒样条
截止波长
ls: 0.25μm, 0.8μm, 2.5μm, 8μm, 25μm, 250μm、无滤波器
lc*: 0.025mm, 0.08mm, 0.25mm, 0.8mm, 2.5mm, 8mm, 25mm
lf: 0.08mm, 0.25mm, 0.8mm, 2.5mm, 8mm, 25mm、无滤波器采样长度 (L)*
0.025mm, 0.08mm, 0.25mm, 0.8mm, 2.5mm, 8mm, 25mm, 80mm (仅适于SV-2100)
数据补偿功能
抛物线■补偿、双曲线补▽偿、椭圆补偿、R 平面 (曲面)
补偿、锥面补偿、倾斜补偿
*在 0.02mm 至50mm 的范围内可指定任意长度。
