产品简介
磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观:橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型,晶格常数5.447±0.06埃,化学键是以共价键为主的混合键,其离子键成分约为20%,300K时能隙为2.26eV,属间接跃迁型半导体。磷化▓镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同,可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部,如掺入铬、铁、氧等↘杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。
(110)晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时〓域光谱仪中作为探测晶体,其横光学支声子线在11THz。通常可探测◢的频谱宽度在0.1-6.5THz。
中文名:磷化镓
外文名:Gallium phosphide
分子式:GaP
分子量:100.6968
实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线,400um厚GaP晶体探测的结果∏
GaP晶体产品
GaP 基本规格(a)Description |
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1 |
GaP (110), 10x10x4 mm,2 sides polished. |
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GaP (110), 10x10x2 mm,2 sides polished.. |
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GaP (110), 10x10x0.5 mm,2 sides polished.. |
4 |
GaP (110), 10x10x0.4 mm,2 sides polished.. |
5 |
GaP (110), 10x10x0.2 mm,2 sides polished.. |
6 |
GaP (110), 10x10x0.1 mm,2 sides polished.. |
(a)其他规格要求可以定制